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KIOXIA ya envía muestras de dispositivos TLC BiCS FLASH de 9a generación

Escrito por Agencias Externas el 26/08/2025 a las 18:02:19
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KIOXIA Europe GmbH, líder mundial en soluciones de memoria, ha anunciado hoy que ha comenzado los envíos de muestras¹ de dispositivos de memoria de celda de triple nivel (TLC) de 512 Gb que incorporan su tecnología de memoria flash 3D BiCS FLASHTMde 9ª generación. Planea comenzar la producción en masa en el año fiscal 2025. Los dispositivos están diseñados para admitir aplicaciones que requieren un alto rendimiento y una eficiencia energética excepcional en las capacidades de almacenamiento de nivel bajo a medio. También se integrarán en las SSD empresariales de KIOXIA, en particular aquellas que tienen como objetivo maximizar la eficiencia de la GPU en los sistemas de IA.


KIOXIA continúa persiguiendo una estrategia de doble eje para abordar las diversas necesidades de las aplicaciones de vanguardia, al tiempo que ofrece productos competitivos que brindan una eficiencia de inversión óptima. Los dos ejes son:

 

  • Productos BiCS FLASH™ de 9ª generación: logran un alto rendimiento a un costo de producción reducido al aprovechar la tecnología CBA (CMOS directamente unida a la matriz)², que integra las tecnologías de celdas de memoria existentes³ con la última tecnología CMOS.
  • Productos BiCS FLASH™ de 10ª generación: incorporan una expansión en el número de capas de memoria para satisfacer la demanda futura esperada de soluciones de mayor capacidad y alto rendimiento.


La nueva BiCS FLASHTM 512Gb TLC de 9ª generación, desarrollada mediante un proceso de apilamiento de 120 capas basado en la tecnología BiCS FLASH™ de 5ª generación y la tecnología CMOS avanzada, presenta mejoras significativas en el rendimiento con respecto a los productos BiCS FLASHTM? existentes de KIOXIA con la misma capacidad de 512 Gb. Estas incluyen:

 

  • Rendimiento de escritura: Mejora del 61 %
  • Rendimiento de escritura: Mejora del 12 %

 

  • Eficiencia energética: mejorada en un 36 % durante las operaciones de escritura y un 27 % durante las operaciones de lectura
  • Velocidad de transferencia de datos: la interfaz Toggle DDR6.0 permite un rendimiento de interfaz NAND de alta velocidad de 3,6 Gb/s?
  • Densidad de bits: aumentada en un 8 % a través de los avances en el escalado planar


Además, KIOXIA ha confirmado que la TLC de 512 Gb funciona a velocidades de interfaz NAND de hasta 4,8 Gb/s? en condiciones de demostración. La línea de productos se determinará de acuerdo con las demandas del mercado.


"Las ventajas de TLC de mayor densidad de almacenamiento, rentabilidad y rendimiento ofrecidas a través de la memoria flash 3D BiCS FLASHTM de 9ª generación de KIOXIA serán muy adecuadas para dispositivos del Internet de las Cosas y sistemas integrados en el sector industrial y de automoción, donde el coste y la capacidad son lo más importante. También proporcionará almacenamiento asequible y de alta capacidad a través de servicios de almacenamiento en la nube y tareas de lectura intensiva como las que se ven en IA y aprendizaje automático", añade Axel Störmann, vicepresidente y director de tecnología de productos de memoria y SSD de KIOXIA Europe GmbH.


KIOXIA se compromete a fortalecer sus asociaciones globales y a seguir innovando para seguir ofreciendo soluciones óptimas que satisfagan las diversas necesidades de sus clientes.

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